تەدرىجى تەرەققىياتنى يېشىش: GaN 2 بىلەن GaN 3 توك قاچىلىغۇچنىڭ پەرقىنى چۈشىنىش

Gallium Nitride (GaN) تېخنىكىسىنىڭ بارلىققا كېلىشى توك ماسلاشتۇرغۇچنىڭ مەنزىرىسىنى ئۆزگەرتىپ ، ئەنئەنىۋى كرېمنىينى ئاساس قىلغان كەسىپداشلىرىغا قارىغاندا كۆرۈنەرلىك كىچىك ، يېنىك ۋە تېخىمۇ ئۈنۈملۈك توك قاچىلىغۇچنى بارلىققا كەلتۈردى. تېخنىكىنىڭ پىشىپ يېتىلىشىگە ئەگىشىپ ، بىز ئوخشىمىغان ئەۋلاد GaN يېرىم ئۆتكۈزگۈچنىڭ بارلىققا كەلگەنلىكىگە شاھىت بولدۇق ، بولۇپمۇ GaN 2 ۋە GaN 3. گەرچە ھەر ئىككىسى كرېمنىيدىن ماھىيەتلىك ياخشىلىنىشلارنى تەمىنلىگەن بولسىمۇ ، ئەمما ئەڭ ئىلغار ۋە ئۈنۈملۈك توك قاچىلاش ھەل قىلىش چارىسى ئىزدەۋاتقان ئىستېمالچىلار ئۈچۈن بۇ ئىككى ئەۋلاد ئوتتۇرىسىدىكى ئىنچىكە ھالقىلارنى چۈشىنىش ئىنتايىن مۇھىم. بۇ ماقالە GaN 2 بىلەن GaN 3 توك قاچىلىغۇچنىڭ ئاچقۇچلۇق پەرقىگە چوڭقۇر چۆكۈپ ، ئەڭ يېڭى تەكرارلىنىش تەمىنلىگەن ئىلگىرىلەش ۋە پايدا ئۈستىدە ئىزدىنىدۇ.

پەرقنى قەدىرلەش ئۈچۈن ، «GaN 2» ۋە «GaN 3» نىڭ بىر باشقۇرۇش ئورگىنى بەلگىلىگەن ئومۇمىي ئۆلچەملەشتۈرۈلگەن ئاتالغۇ ئەمەسلىكىنى چۈشىنىش تولىمۇ مۇھىم. ئەكسىچە ، ئۇلار GaN قۇۋۋەت ترانس ist ورستورنىڭ لايىھىلەش ۋە ياساش جەريانىدىكى ئىلگىرلەشلەرگە ۋەكىللىك قىلىدۇ ، ئۇلار ھەمىشە ئالاھىدە ئىشلەپچىقارغۇچىلار ۋە ئۇلارنىڭ ئىگىدارلىق تېخنىكىسى بىلەن مۇناسىۋەتلىك. ئومۇملاشتۇرغاندا ، GaN 2 سودىدا ھاياتىي كۈچكە ئىگە GaN توك قاچىلىغۇچنىڭ دەسلەپكى باسقۇچىغا ۋەكىللىك قىلىدۇ ، GaN 3 بولسا يېقىنقى يېڭىلىقلار ۋە ياخشىلىنىشلارنى گەۋدىلەندۈرىدۇ.

پەرقلەندۈرۈشنىڭ مۇھىم ساھەلىرى:

GaN 2 بىلەن GaN 3 توك قاچىلىغۇچنىڭ دەسلەپكى پەرقى ئادەتتە تۆۋەندىكى رايونلاردا بولىدۇ:

1. چاستوتا ۋە ئۈنۈمنى ئالماشتۇرۇش:

GaN نىڭ كرېمنىيغا قارىغاندا يادرولۇق ئەۋزەللىكىنىڭ بىرى ، ئۇنىڭ تېخىمۇ يۇقىرى چاستوتا ئالماشتۇرۇش ئىقتىدارى. بۇ تېخىمۇ يۇقىرى ئالماشتۇرۇش چاستوتىسى توك قاچىلىغۇچنىڭ ئىچىدە كىچىك ئىندۇكسىيە زاپچاسلىرىنى (تىرانسفورموتور ۋە ئىندۇكتورغا ئوخشاش) ئىشلىتىشكە شارائىت ھازىرلاپ ، ئۇنىڭ چوڭ-كىچىكلىكى ۋە ئېغىرلىقىغا كۆرۈنەرلىك تۆھپە قوشىدۇ. GaN 3 تېخنىكىسى ئادەتتە بۇ ئالماشتۇرۇش چاستوتىسىنى GaN 2 دىنمۇ يۇقىرى قىلىدۇ.

GaN 3 لايىھىسىدىكى ئالماشتۇرۇش چاستوتىسىنىڭ كۆپىيىشى ھەمىشە تېخىمۇ يۇقىرى قۇۋۋەت ئايلاندۇرۇش ئۈنۈمىگە تەرجىمە قىلىدۇ. دېمەك ، تام چىقىش ئېغىزىدىن تارتىلغان ئېلېكتر ئېنېرگىيىسىنىڭ تېخىمۇ كۆپ قىسمى ئەمەلىيەتتە ئۇلانغان ئۈسكۈنىگە يەتكۈزۈلۈپ ، ئىسسىقلىق ئېنېرگىيىسى ئازلاپ كېتىدۇ. تېخىمۇ يۇقىرى ئۈنۈم ئېنېرگىيە ئىسراپچىلىقىنى ئازايتىپلا قالماي ، يەنە توك قاچىلىغۇچنىڭ سالقىن مەشغۇلاتىغا تۆھپە قوشىدۇ ، ئۇنىڭ ئۆمرىنى ئۇزارتىپ ، بىخەتەرلىكنى كۈچەيتىشى مۇمكىن.

2. ئىسسىقلىق باشقۇرۇش:

GaN ئەسلىدىنلا كىرىمنىيغا قارىغاندا ئاز ئىسسىقلىق ھاسىل قىلسىمۇ ، ئەمما تېخىمۇ يۇقىرى توك سەۋىيىسىدە ئىشلەپچىقىرىلغان ئىسسىقلىقنى باشقۇرۇش ۋە چاستوتا ئالماشتۇرۇش توك قاچىلىغۇچنىڭ لايىھىلىنىشىدىكى ھالقىلىق تەرەپ بولۇپ قالدى. GaN 3 نىڭ ئىلگىرىلىشى ھەمىشە ئۆزەك دەرىجىسىدىكى ياخشىلانغان ئىسسىقلىق باشقۇرۇش تېخنىكىسىنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. بۇ ئۆزەكنىڭ ئەلالاشتۇرۇلغان ئۆزەك ئورۇنلاشتۇرۇشىنى ، GaN ترانس ist ورنىڭ ئۆزىدە ئىسسىقلىق تارقىتىش يولىنى كۈچەيتەلەيدۇ ، ھەتتا تېمپېراتۇرا سېزىش ۋە كونترول قىلىش مېخانىزىمىنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.

GaN 3 توك قاچىلىغۇچتا تېخىمۇ ياخشى ئىسسىقلىق باشقۇرۇش ئارقىلىق ئۇلار تېخىمۇ يۇقىرى توك چىقىرىش ۋە سىجىل يۈكلەردە قىزىپ كەتمەي ئىشەنچلىك مەشغۇلات قىلالايدۇ. بۇ خاتىرە كومپيۇتېر ۋە تاختا كومپيۇتېر قاتارلىق توكقا ئېھتىياجلىق ئۈسكۈنىلەرگە توك قاچىلاشقا ئالاھىدە پايدىلىق.

3. بىرىكتۈرۈش ۋە مۇرەككەپلىك:

GaN 3 تېخنىكىسى ھەمىشە GaN قۇۋۋىتى IC (توپلاشتۇرۇلغان توك يولى) ئىچىدىكى تېخىمۇ يۇقىرى دەرىجىدىكى بىر گەۋدىلىشىشنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. بۇ تېخىمۇ كۆپ كونترول توك يولى ، قوغداش ئىقتىدارلىرىنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ (مەسىلەن توك بېسىمى ، توك بېسىمى ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىدىن مۇداپىئەلىنىش دېگەندەك) ، ھەتتا دەرۋازا قوزغاتقۇچلىرىنى بىۋاسىتە GaN ئۆزىكىگە ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.

GaN 3 لاھىيەسىنىڭ بىر گەۋدىلىشىشىنىڭ كۈچىيىشى سىرتقى زاپچاسلىرى ئاز بولغان ئومۇمىي توك قاچىلىغۇچ لايىھىسىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ. بۇ ماتېرىيال تالونىنى ئازايتىپلا قالماي ، ئىشەنچلىكلىكىنى ئۆستۈرۈپ ، كىچىكلىتىشكە تېخىمۇ تۆھپە قوشىدۇ. GaN 3 ئۆزىكىگە بىرلەشتۈرۈلگەن تېخىمۇ مۇرەككەپ كونترول توك يولى يەنە ئۇلانغان ئۈسكۈنىگە تېخىمۇ ئېنىق ۋە ئۈنۈملۈك توك يەتكۈزەلەيدۇ.

4. قۇۋۋەت زىچلىقى:

ھەر كۇب ئىنچ (W / in³) ۋاتتا ئۆلچەنگەن توك زىچلىقى توك ماسلاشتۇرغۇچنىڭ ئىخچاملىقىنى باھالاشتىكى مۇھىم ئۆلچەم. GaN تېخنىكىسى ئادەتتە كرېمنىيغا سېلىشتۇرغاندا توكنىڭ زىچلىقىنى كۆرۈنەرلىك يۇقىرى كۆتۈرەلەيدۇ. GaN 3 نىڭ ئىلگىرىلىشى بۇ قۇۋۋەت زىچلىقىنى تېخىمۇ ئىلگىرى سۈرىدۇ.

GaN 3 توك قاچىلىغۇچتا تېخىمۇ يۇقىرى ئالماشتۇرۇش چاستوتىسى ، ئۈنۈمنى يۇقىرى كۆتۈرۈش ۋە ئىسسىقلىق باشقۇرۇشنى كۈچەيتىش بىرلەشتۈرۈلۈپ ، ئوخشاش توك چىقىرىشتا GaN 2 تېخنىكىسىنى ئىشلىتىدىغانلارغا سېلىشتۇرغاندا ، ئىشلەپچىقارغۇچىلار تېخىمۇ كىچىك ۋە تېخىمۇ كۈچلۈك ماسلاشتۇرغۇچ ھاسىل قىلالايدۇ. بۇ ئېلىپ يۈرۈشكە ئەپلىك ۋە قۇلايلىق بولۇشنىڭ مۇھىم ئەۋزەللىكى.

5. باھاسى:

ھەر قانداق تەرەققىي قىلىۋاتقان تېخنىكىغا ئوخشاش ، يېڭى ئەۋلادلار ھەمىشە تېخىمۇ يۇقىرى تەننەرخ بىلەن كېلىدۇ. GaN 3 زاپچاسلىرى تېخىمۇ ئىلغار ۋە تېخىمۇ مۇرەككەپ ئىشلەپچىقىرىش جەريانىدىن پايدىلىنىشى مۇمكىن ، ئۇلارنىڭ GaN 2 كەسىپداشلىرىغا قارىغاندا قىممەت بولۇشى مۇمكىن. قانداقلا بولمىسۇن ، ئىشلەپچىقىرىش كۆلىمىنىڭ چوڭىيىشىغا ۋە تېخنىكىنىڭ ئاساسىي ئېقىنغا ئايلىنىشىغا ئەگىشىپ ، ۋاقىتنىڭ ئۆتۈشىگە ئەگىشىپ تەننەرخ پەرقى كىچىكلەيدۇ.

GaN 2 ۋە GaN 3 توك قاچىلىغۇچنى پەرقلەندۈرۈش:

دىققەت قىلىشقا تېگىشلىكى شۇكى ، ئىشلەپچىقارغۇچىلار توك قاچىلىغۇچنى ھەمىشە «GaN 2» ياكى «GaN 3» دەپ بەلگە قويمايدۇ. قانداقلا بولمىسۇن ، سىز دائىم توك قاچىلىغۇچنىڭ ئۆلچىمى ، چوڭ-كىچىكلىكى ۋە تارقىتىلغان ۋاقتىغا ئاساسەن ئىشلىتىلگەن ئەۋلاد ئەۋلاد GaN تېخنىكىسىنى يەكۈنلەپ چىقالايسىز. ئادەتتە ، تېخىمۇ يۇقىرى توك زىچلىقى ۋە ئىلغار ئىقتىدارلىرى بىلەن ماختىنىدىغان يېڭى توك قاچىلىغۇچلار GaN 3 ياكى كېيىنكى ئەۋلادلارنى ئىشلىتىش ئېھتىماللىقى يۇقىرى.

GaN 3 توك قاچىلىغۇچنى تاللاشنىڭ پايدىسى:

GaN 2 توك قاچىلىغۇچ ئاللىقاچان كرېمنىيدىن كۆرۈنەرلىك ئەۋزەللىك بىلەن تەمىنلىگەن بولسىمۇ ، ئەمما GaN 3 توك قاچىلىغۇچنى تاللاش تېخىمۇ كۆپ پايدا بىلەن تەمىنلەيدۇ ، مەسىلەن:

• كىچىكرەك ۋە يېنىكرەك لايىھىلەش: كۈچنى قۇربان قىلماي تېخىمۇ چوڭ ئېلىپ يۈرۈشتىن ھۇزۇرلىنىڭ.
• ئۈنۈمنى ئاشۇرۇش: ئېنېرگىيە ئىسراپچىلىقىنى ئازايتىش ۋە توك ھەققىنى تۆۋەنلىتىش مۇمكىن.
• ياخشىلانغان ئىسسىقلىق ئىقتىدارى: سوۋۇتۇش مەشغۇلاتى ، بولۇپمۇ توك قاچىلاش ۋەزىپىسىنى تەلەپ قىلغاندا.
• يوشۇرۇن تېز توك قاچىلاش (ۋاسىتىلىك): تېخىمۇ يۇقىرى ئۈنۈم ۋە تېخىمۇ ياخشى ئىسسىقلىق باشقۇرۇش ئارقىلىق توك قاچىلىغۇچنىڭ تېخىمۇ ئۇزۇن توك چىقىرىش ئىقتىدارىنى ساقلاپ قالالايدۇ.
• تېخىمۇ ئىلغار ئىقتىدارلار: توپلاشتۇرۇلغان قوغداش مېخانىزمى ۋە ئەلالاشتۇرۇلغان توك يەتكۈزۈشنىڭ پايدىسى.

GaN 2 دىن GaN 3 غا ئۆتۈش GaN قۇۋۋەت ماسلاشتۇرغۇچ تېخنىكىسىنىڭ تەرەققىياتىدىكى مۇھىم بىر قەدەمنى كۆرسىتىدۇ. گەرچە ھەر ئىككى ئەۋلاد ئەنئەنىۋى كرېمنىيلىق توك قاچىلىغۇچقا قارىغاندا ماھىيەتلىك ياخشىلىنىشلارنى تەمىنلىگەن بولسىمۇ ، ئەمما GaN 3 ئادەتتە ئالماشتۇرۇش چاستوتىسى ، ئۈنۈمى ، ئىسسىقلىق باشقۇرۇش ، بىر گەۋدىلىشىش ۋە ئاخىرىدا توك زىچلىقى قاتارلىق ئىقتىدارلارنى يۇقىرى كۆتۈردى. بۇ تېخنىكىنىڭ داۋاملىق پىشىپ يېتىلىشىگە ۋە تېخىمۇ قولايلىق بولۇشىغا ئەگىشىپ ، GaN 3 توك قاچىلىغۇچ يۇقىرى ئىقتىدارلىق ، ئىخچام توك يەتكۈزۈشتىكى يېتەكچى ئۆلچەمگە ئايلىنىشقا تەييارلىنىپ ، ئىستېمالچىلارنى كۆپ خىل ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن تېخىمۇ قۇلايلىق ۋە ئۈنۈملۈك توك قاچىلاش تەجرىبىسى بىلەن تەمىنلەيدۇ. بۇ پەرقلەرنى چۈشىنىش ئىستېمالچىلارغا كېيىنكى توك ماسلاشتۇرغۇچنى تاللىغاندا توغرا قارار چىقىرىش ھوقۇقى بېرىدۇ ، ئۇلارنىڭ توك قاچىلاش تېخنىكىسىدىكى ئەڭ يېڭى ئىلگىرىلەشلەردىن بەھرىمەن بولۇشىغا كاپالەتلىك قىلىدۇ.